Näytetään tulokset 1 - 10 / 14125
tulosta / sivu
Mitä julkaisutietoja palvelu sisältää?
Julkaisun nimi
Tekijät
Julkaisukanava
Vuosi
 Julkaisujen tiedon ikoni

High-k fluoropolymers dielectrics for low-bias ambipolar organic light emitting transistors (Olets)

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.3390/ma14247635
Albeltagi, Ahmed; Gallegos-Rosas, Katherine; Soldano, Caterina; Soldano, Caterina
Materials2021 Julkaisujen tiedon ikoni

Atomic layer deposition of high-k dielectrics on carbon nanoparticles

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/j.tsf.2012.09.071
Tamm, Aile; Peikolainen, Anna-Liisa; Kozlova, Jekaterina; Mändar, Hugo; Aidla, Aleks; Rammula, Raul;...
Thin Solid Films2013 Julkaisujen tiedon ikoni

Electrical characterization of MIS capacitors based on Dy2O3-doped ZrO2 dielectrics

Vertaisarvioitu
DOI
10.1109/CDE.2015.7087500
Garcia, H.; Castan, H.; Duenas, S.; Perez, E.; Bailon, L.; Tamm, A.; Kukli, K.; Aarik, J.; Mizohata,...
Spanish Conference on Electron Devices2015 Julkaisujen tiedon ikoni

Influence of atomic layer deposition chemistry on high-k dielectrics for charge trapping memories

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/j.sse.2011.09.016
Nikolaou, Nikolaos; Dimitrakis, Panagiotis; Normand, Pascal; Ioannou-Sougleridis, Vassilios; Giannak...
Solid-State Electronics2012 Julkaisujen tiedon ikoni

Experiments on Welded High Strength Steel S700 K-joints

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1002/cepa.2267
Alshawwa, Omar; Mela, Kristo; Ahola, Antti; Björk, Timo
ce/papers2023 Julkaisujen tiedon ikoni

Advanced electronic and optoelectronic materials by Atomic Layer Deposition: An overview with special emphasis on recent progress in processing of high-k dielectris

Vertaisarvioitu
Niinistö, Lauri; Nieminen, Minna; Niinistö, Jaakko; Putkonen, Matti; Päiväsaari, Jani
European Materials Research Society2003 Julkaisujen tiedon ikoni

The role of nitrogen-related defects in high-k dielectric oxides: Density-functional studies

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1063/1.1854210
Gavartin, J.L.; Shluger, A.L.; Foster, A. S.; Bersuker, G.I.
Journal of Applied Physics2005 Julkaisujen tiedon ikoni

Towards the Understanding of Stacked Al-based High k Dielectrics for Passivation of 4H-SiC Devices.

Vertaisarvioitu
DOI
10.1149/1.3517137
Usman, Mohammed; Hallen, Anders; Pilvi, Tero; Schöner, Adolf; Leskelä, Markku
Journal of the Electrochemical Society2011 Julkaisujen tiedon ikoni

High-k ternary rare earth oxides by atomic layer deposition

Avoin saatavuus
Myllymäki, Pia
Aalto-yliopiston teknillinen korkeakoulu2010 Julkaisujen tiedon ikoni

Interfacial oxide growth in silicon/high-k oxide interfaces: First principles modeling of the Si-HfO2 interface

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1063/1.2259792
Hakala, M. H.; Foster, A. S.; Gavartin, J.L.; Havu, P.; Puska, M. J.; Nieminen, R. M.
Journal of Applied Physics2006

High-k fluoropolymers dielectrics for low-bias ambipolar organic light emitting transistors (Olets)

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.3390/ma14247635
2021

Atomic layer deposition of high-k dielectrics on carbon nanoparticles

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/j.tsf.2012.09.071
2013

Electrical characterization of MIS capacitors based on Dy2O3-doped ZrO2 dielectrics

Vertaisarvioitu
DOI
10.1109/CDE.2015.7087500
2015

Influence of atomic layer deposition chemistry on high-k dielectrics for charge trapping memories

Vertaisarvioitu
DOI
10.1016/j.sse.2011.09.016
2012

Experiments on Welded High Strength Steel S700 K-joints

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1002/cepa.2267
2023

Advanced electronic and optoelectronic materials by Atomic Layer Deposition: An overview with special emphasis on recent progress in processing of high-k dielectris

Vertaisarvioitu
2003

The role of nitrogen-related defects in high-k dielectric oxides: Density-functional studies

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1063/1.1854210
2005

Towards the Understanding of Stacked Al-based High k Dielectrics for Passivation of 4H-SiC Devices.

Vertaisarvioitu
DOI
10.1149/1.3517137
2011

High-k ternary rare earth oxides by atomic layer deposition

Avoin saatavuus
2010

Interfacial oxide growth in silicon/high-k oxide interfaces: First principles modeling of the Si-HfO2 interface

Vertaisarvioitu
Avoin saatavuus
DOI
10.1063/1.2259792
2006